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项目名称：介质层化学机械研磨（CMP）设备
*. 招标条件
*.* 资金到位或资金来源落实情况:已落实。
*. 招标内容
*.*设备主要功能：化学机械研磨CMP（Chemical Mechanical Polishing）是利用旋转的抛光头以一定的压力将wafer压在旋转的抛光垫上，通过化学去膜和机械去膜的交替过程中实现全局平坦化，是集成电路制造中的常用工艺。利用CMP设备可以实现IC器件全局平坦化，实现更小的设计图形，更多层的金属互连，提高电路的可靠性、速度和良品率。为满足以硅光产品为代表的特殊工艺要求，本次招标设备的研磨均匀性需高于常规*英寸* Zone研磨头CMP设备的能力，同时对CMP膜厚管控有较高的要求，可根据膜厚反馈之Polish time实现自动平坦化process。
*.投标人资格要求
*.*本次招标不接参与项目前期咨询和招标文件编制的法人或其他组织不得参加投标。
*.招标文件的领购
*.* 招标文件领购结束时间：****年 ** 月 *日
*.* 招标文件售价：***人民币/套
*.
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项目 联系人：李杨
咨询电话：010-51957458
传真：010-51957412
手机：13683233285
QQ:1211306049
微信：Li13683233285 邮箱：1211306049@qq.com
备注：欲购买招标文件的潜在投标人,注册网站并缴纳因特网技术服务费后，查看项目业主，招标公告，中标公示等，并下载资格预审范围，资质要求，招标清单，报名申请表等。为保证您能够顺利投标，具体要求及购买标书操作流程按公告详细内容为准，以招标业主的解答为准本。
